界面空隙和殘余應(yīng)力帶來的限制從根本上制約了鈣鈦礦太陽能電池(PSC)的穩(wěn)定性和性能上限。鑒于此，2025年5月3日西南交通大學(xué)黃鵬&周祚萬&電子科技大學(xué)劉曉東等于AEM刊發(fā)埋置界面的分子橋接使晶粒邊界凹槽變平整并賦予應(yīng)力松弛，提高鈣鈦礦太陽能電池性能和紫外線穩(wěn)定性的研究成果，本研究通過在SnO2/鈣鈦礦界面引入外來分子(Ec)來構(gòu)建分子橋。實(shí)驗(yàn)研究結(jié)合第一性原理密度泛函理論(DFT)計(jì)算表明，羧基優(yōu)先鈍化SnO2中未配位的Sn⁴⁺缺陷和氧空位，而亞胺基團(tuán)與鈣鈦礦中的Pb²⁺離子建立穩(wěn)固配位，從而鈍化未配位的Pb²⁺缺陷。雙錨定分子橋接機(jī)制有利于殘余應(yīng)力的釋放，使晶粒邊界溝槽平坦化，并顯著抑制非輻射復(fù)合。經(jīng)Ec修飾的鈣鈦礦太陽能電池實(shí)現(xiàn)了24.68%的能量轉(zhuǎn)換效率 (PCE)（對(duì)照組為22.56%）。值得注意的是，添加Ec的未封裝鈣鈦礦太陽能電池表現(xiàn)出更高的紫外穩(wěn)定性，在365 nm紫外線照射（50 mW cm^?2）下，130小時(shí)后（相當(dāng)于1412小時(shí)太陽輻射）仍保留了初始效率的80.12%。該研究揭示了Ec作為分子橋的作用，有助于優(yōu)化埋置界面，從而實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的太陽能電池制造。