在SnO2電子傳輸層(ETL)中加入氯已被證明可有效增強(qiáng)鈣鈦礦太陽能電池中SnO2和鈣鈦礦之間的界面接觸。然而，之前的研究主要集中于氯在鈍化SnO2表面陷阱缺陷中的作用，而沒有考慮其對埋層界面的影響。鑒于此，2024年12月26日華北電力大學(xué)李美成于Small刊發(fā)通過鹽酸協(xié)同優(yōu)化埋層界面以實現(xiàn)高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池的研究成果，將鹽酸(HCl)作為氯源引入商用SnO2中以形成Cl封端的SnO2(Cl-SnO2)ETL，旨在優(yōu)化鈣鈦礦太陽能電池的埋層界面。將HCl摻入SnO2前體溶液中主要有兩種作用。首先，它通過酸堿反應(yīng)將有害的KOH穩(wěn)定劑轉(zhuǎn)化為KCl。其次，它調(diào)節(jié)鈣鈦礦的結(jié)晶過程，減少埋底界面處的PbI2殘留物和空隙。結(jié)果，鈣鈦礦太陽能電池的效率從21.93%提高到25.39%，認(rèn)證效率為25.69%，這是基于Cl-SnO2 ETL的鈣鈦礦太陽能電池的最高效率。此外，目標(biāo)鈣鈦礦太陽能電池表現(xiàn)出優(yōu)異的空氣穩(wěn)定性，在空氣暴露2900小時后仍能保持其初始效率的90%，而對照器件僅為56.1%。這項研究突出了HCl在鈣鈦礦太陽能電池中掩埋界面協(xié)同優(yōu)化方面的有效性。