在室溫下構(gòu)建具有高外部量子效率(EQE)的微型發(fā)光二極管(LED)仍然是片上光電器件的挑戰(zhàn)。鑒于此，2024年10月2日東南大學(xué)倪振華&復(fù)旦大學(xué)周鵬&南京師范大學(xué)劉宏微于Science Advances刊發(fā)范德華集成單結(jié)發(fā)光二極管室溫量子效率超過10%的研究成果，展示了使用典型的層狀Ruddlesden-Popper鈣鈦礦(RPP)通過干轉(zhuǎn)移范德華(vdW)集成方法制造的微型LED。單晶層狀RPP納米薄片用作活性層，并夾在兩個(gè)幾層石墨烯觸點(diǎn)之間，形成范德華LED(vdWLED)。在室溫下觀察到強(qiáng)電致發(fā)光(EL)發(fā)射，開啟電流密度低至~20 pA μm^?2，EQE高至超過10%，這為有史以來記錄的 vdWLED的EQE設(shè)定了基準(zhǔn)。這種高效的EL發(fā)射歸因于RPP固有的多量子阱結(jié)構(gòu)和高光致發(fā)光量子產(chǎn)率(~35%)以及由Fowler-Nordheim隧穿機(jī)制促成的低電荷注入勢(shì)壘(~0.10 eV)。這些發(fā)現(xiàn)有望為片上光學(xué)光電器件提供高性能微型光源的可擴(kuò)展途徑。