金屬鹵化物鈣鈦礦在下一代發(fā)光二極管(PeLED)中具有巨大潛力。盡管取得了重大進展，但實現(xiàn)高性能鈣鈦礦LED的關鍵在于優(yōu)化鈣鈦礦晶體膜與電荷傳輸層之間的界面，尤其是埋底界面，這是鈣鈦礦生長的起點。鑒于此，2024年8月23日南京工業(yè)大學夏英東&郭慶勛&陳永華于Nano Letters刊發(fā)調節(jié)晶粒生長表面以實現(xiàn)高效的近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管的研究成果，開發(fā)了一種自下而上的鈣鈦礦薄膜調制策略，使用甲脒乙酸鹽(FAAc)來增強埋底界面。這種多方面的方法促進了高質量鈣鈦礦的垂直取向生長，同時最大限度地減少了缺陷。同時，F(xiàn)A⁺和ZnO之間的原位去質子化可以消除羥基(-OH)缺陷并調節(jié)ZnO的能級。由此產生的FAPbI3-PeLED表現(xiàn)出23.84%的冠軍EQE，具有增強的運行穩(wěn)定性和抑制的EQE滾降。該策略還成功擴展到其他混合鹵化物鈣鈦礦LED（例如 Cs0.17FA0.83Pb(I0.75Br0.25)3），證明了其作為一種有效且直接的增強鈣鈦礦LED性能的方法的多功能性。