2022年8月26日羅格斯大學(xué)Vitaly Podzorov團(tuán)隊(duì)于AM刊發(fā)基于外延單晶鈣鈦礦的本征（無陷阱）晶體管的研究成果。報(bào)告了鹵化鉛鈣鈦礦場效應(yīng)晶體管 (FET) 中本征（不受缺陷支配）電荷傳導(dǎo)機(jī)制的首次實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)。這一進(jìn)展得益于：i) 一種新的氣相外延技術(shù)，該技術(shù)可生產(chǎn)大面積單晶溴化銫鉛(CsPbBr3)薄膜，該薄膜具有優(yōu)異的結(jié)構(gòu)和表面特性，包括原子級平坦的表面形態(tài)，基本上沒有缺陷和與設(shè)備操作相關(guān)的級別的陷阱；ii) 使用各種薄膜和表面探針對這些薄膜進(jìn)行廣泛的材料分析，以證明材料的化學(xué)和結(jié)構(gòu)質(zhì)量；iii) 近乎理想（無陷阱）的FET的制造，其特性優(yōu)于迄今為止報(bào)道的任何產(chǎn)品。這些器件允許研究本征FET和（門控）霍爾效應(yīng)載流子遷移率隨溫度的變化。發(fā)現(xiàn)固有遷移率在從室溫下的~ 30 cm²V^-1s^-1冷卻到50 K時(shí)的~ 250 cm²V^-1s^-1時(shí)增加，揭示了主要受聲子散射限制的帶傳輸。建立本征（聲子限制）遷移率為鈣鈦礦中載流子傳輸?shù)睦碚撁枋鎏峁┝丝煽康臏y試，揭示了該技術(shù)的基本限制，并為無處不在的未來高性能鈣鈦礦電子設(shè)備指明了道路。