減少界面缺陷和提高電荷轉(zhuǎn)移層的電荷轉(zhuǎn)移能力已成為提高鈣鈦礦太陽能電池效率和穩(wěn)定性的最重要策略。然而，目前用于減輕界面缺陷的大多數(shù)分子鈍化劑會在界面處產(chǎn)生導電性差的聚集體，從而阻礙電荷載流子的提取。鑒于此，2021年11月4日云南大學解琳&華雍團隊于ACS Energy Letters刊發(fā)通過高結(jié)晶聚合物實現(xiàn)高效鈣鈦礦太陽能電池界面缺陷鈍化和電荷載流子管理的研究成果。在這里，報告了一種采用 2,7-二辛基 [1] 苯并噻吩并 [3,2-b][1] 苯并噻吩 (C8-BTBT) 的高結(jié)晶聚合物的整體界面工程策略。揭示了 C8-BTBT 將鈣鈦礦薄膜橋接到空穴傳輸層，減少了界面缺陷并改善了電荷載流子管理。此外，這種用空氣穩(wěn)定的 C8-BTBT 進行的界面改性通過減少聚集體實現(xiàn)了 Spiro-OD 的理想和穩(wěn)健的形態(tài)。因此，經(jīng)過 C8-BTBT 處理的器件在所有光伏性能特征上都表現(xiàn)出極大的增強，絕對效率提高超過 2%。C8-BTBT修飾的Spiro-OD具有良好的熱耐受性，這為提高基于Spiro-OD的鈣鈦礦器件光電性能鋪平了道路。