全無機鈣鈦礦量子點CsPbX3（X = Cl, Br, I）因其具有良好的光學性能，在發(fā)光二極管（LED）領域展現(xiàn)出良好的應用前景；然而，基于CsPbX3量子點LED器件性能往往出現(xiàn)效率滾降現(xiàn)象。
鑒于此，吉林大學鄭偉濤教授和香港城市大學AndreyL. Rogach教授對產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因及其解決策略進行了展望。作者對該現(xiàn)象的產(chǎn)生原因進行深入的剖析，主要是由電荷注入不平衡以及CsPbX3量子點較低的離子遷移活化能引起；并提出了原子晶體殼層包覆的策略，以CsPbI3量子點為擬研究對象，對其殼層結構的設計及其合成過程中動力學和熱力學等核心要素的調控進行詳細闡述。
該策略既可以調節(jié)電荷注入，同時可以抑制CsPbX3量子點離子遷移，從而有效降低效率滾降，提升LED的性能。
Zhang X., Yin W. et al. Perovskite quantum dots with atomic crystal shells for light-emitting diodes with low efficiency roll-off,ACS Energy Lett. 2020, 5, XXX, 2927–2934.
DOI: 10.1021/acsenergylett.0c01560
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsenergylett.0c01560
