蘇大王照奎AM: 質(zhì)子化胺硅烷，減少鈣鈦礦薄膜界面張力

在鈣鈦礦結(jié)晶過(guò)程中，界面應(yīng)變和晶格畸變是不可避免的問(wèn)題。硅烷作為偶聯(lián)劑是一種流行的界面修飾層，可增強(qiáng)半導(dǎo)體器件中無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料之間的相容性。蘇州大學(xué)的王照奎等人采用TiO₂和鈣鈦礦層之間的質(zhì)子化胺硅烷偶聯(lián)劑（PASCA-Br）界面修飾層，通過(guò)形成晶格單元的結(jié)構(gòu)成分來(lái)錨定。


界面層上方的枕狀烷基溴化銨末端為鈣鈦礦提供了良好匹配的生長(zhǎng)位點(diǎn)，從而減輕了界面應(yīng)變并導(dǎo)致晶格畸變；同時(shí)，其優(yōu)異的化學(xué)相容性對(duì)修復(fù)鈣鈦礦中未配位的Pb原子和鹵素空位具有理想的效果。PASCA-Br界面層還可以用作機(jī)械緩沖層，從而在彎曲時(shí)產(chǎn)生較少裂紋的鈣鈦礦膜。

該分子級(jí)柔性界面層為鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池及其柔性應(yīng)用提供了有前途的界面工程，在剛性和柔性基底分別獲得了超過(guò)21.6%和17.4%效率。

Zhang, C.‐C., Yuan, S., Lou, Y.‐H., Liu, Q.‐W., Li, M., Okada, H., Wang, Z.‐K., Perovskite Films with Reduced Interfacial Strains via a Molecular‐Level Flexible Inter for Photovoltaic Application. Adv. Mater. 2020, 2001479.